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晶圆抛光机厂家
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半导体芯片减薄工艺流程

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发布时间 : 2024-10-25 09:03:08

       半导体芯片减薄工艺流程主要包括以下步骤:

       一、半导体芯片前期准备

       1、晶圆选择:根据生产要求和成本考虑,选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘作为原始晶圆。

       2、临时键合(针对易碎或硬度较低的晶圆材料,如InP):为防止晶圆在研磨过程中碎裂,会先用中间介质(如固态蜡)将晶圆临时键合到较厚的载体基片上,为其提供结构支撑。这一步骤完成后,露出晶圆的背面以待完成减薄或其他背面工艺。


减薄机650.jpg

       二、半导体芯片研磨减薄

       3、固定晶圆:将晶圆(已临时键合的晶圆整体)固定在研磨机的研磨盘上,确保晶圆在研磨过程中保持稳定。

       4、研磨参数设置:根据晶圆材料和厚度,选择合适的研磨轮(如金刚石砂轮、绿碳化硅砂轮等),并调整加载压力、转速、进给速度等参数,以控制研磨量和表面粗糙度。

       研磨操作:启动研磨机,使晶圆与研磨轮接触并进行研磨。研磨过程通常包括粗磨、精磨两个阶段,以逐步去除晶圆背面的材料并达到所需的厚度。


减薄前后对比650.jpg

       三、半导体芯片清洗与解键合

       1、清洗晶圆:研磨完成后,用去离子水或其他适用的清洗溶液清洗晶圆背面,以去除研磨残留物和污染物。

       2、解键合:对于临时键合的晶圆,将晶圆与基片键合对同时放入去蜡机中浸泡,用电炉加热去蜡液融解蜡层,使薄晶圆从基片脱离成为独立的芯片晶圆。


芯片清洗650.jpg


       四、半导体芯片抛光与平坦度测量

       1、抛光:为提高晶圆表面的光洁度和减薄效果的均匀性,可对晶圆进行抛光处理。抛光过程需要使用特殊的抛光机器和抛光布或砂纸等工具,并调整抛光压力、转速等参数。

       2、平坦度测量:对抛光后的晶圆进行平坦度测试,以确保其满足后续加工过程中的精度要求。


芯片测量.jpg


       五、半导体芯片质量检验与封装

       1、质量检验:通过各种检验手段(如表面平整度检查、薄膜厚度测量等)对晶圆进行质量检验,以确保其完全符合制造标准和质量控制要求。

       2、封装与测试:将合格的晶圆切割成芯片,并进行封装和测试等后续工序。


芯片封装600.jpg


       需要注意的是,在半导体芯片减薄工艺流程中,应严格控制各个环节的参数和操作条件,以避免对晶圆造成损伤或影响其性能。同时,根据不同的晶圆材料和厚度要求,可能需要采用不同的研磨轮、抛光剂和工艺参数。

        此外,随着半导体技术的不断发展,新的减薄工艺和设备也在不断涌现。因此,在实际生产中,应根据具体情况选择合适的工艺流程和设备,以提高生产效率和产品质量。


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