1、背面减薄
晶圆正面电路做完后，从晶圆背面去除衬底硅材料，把原本 725‑775μm 的标准硅片，减到几十～一百多微米，属于后道 / 先进封装关键工艺。
2、晶圆切割
把整片晶圆拆分成一颗颗独立晶粒。
3、贴片
晶圆切割后，把裸硅芯片（晶粒）贴到引线框架、陶瓷基板上，属于芯片封装第一道关键工序，也叫晶粒粘接。
4、引线键合
引线键合是半导体封装最主流的一级互连工艺，用微米级金属细导线，把芯片（Die）焊盘和引线框架 / 基板焊盘做冶金焊接，实现芯片电源、信号对外传输。
5、模塑
用环氧塑封料 EMC把芯片、焊线、部分基板整体包裹固化，实现保护、绝缘、支撑、散热。
6、切筋/成型
针对引线框架（Lead‑frame）产品，基板类（BGA）一般无此工序。
7、终测
芯片制造完成后进行最终的性能测试。
